三星电子否认重新设计 1b DRAM,力求提升性能和良率
2025-01-22

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其他电子
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三星电子否认了关于重新设计其第五代 10nm 级 DRAM(1b DRAM)的报道,但市场观察人士认为此举源于竞争压力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM,而三星仍在使用 1a DRAM。三星启动了名为“D1b—p”的开发项目,旨在提高电源效率和散热性能。尽管三星是全球 DRAM 领域的领导者,但正面临来自 SK 海力士和美光的挑战。有消息称,三星 Galaxy S25 系列智能手机将由美光提供主要的移动 DRAM LPDDR5,因三星尚未完全解决 1b LPDDR5X 的良率和散热问题。
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